KSH29CITU

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

E

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-251-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

100 V

Collettore-tensione di base VCBO:

100 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.7 V

Corrente massima del collettore CC:

1 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

3 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

75

Altezza:

6.1 mm

Lunghezza:

6.6 mm

Confezione:

Tubo

Larghezza:

2.3 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Corrente continua del collettore:

1 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

15

Pd - Dissipazione di potenza:

15 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

70

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

KSH29C, KSH29, KSH2, KSH