2SB1308T100R

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

MPT-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 20 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 30 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

- 0.45 V

Corrente massima del collettore CC:

- 3 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

120 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

2SB1308

Guadagno di corrente CC hFE Max:

390

Altezza:

1.5 mm

Lunghezza:

4.5 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

2.5 mm

Marca:

Semiconduttore ROHM

Corrente continua del collettore:

- 3 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

82

Pd - Dissipazione di potenza:

2 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

transistor

Tags

2SB1308T, 2SB1308, 2SB130, 2SB13, 2SB1, 2SB