FS6R06VE3_B2

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

Moduli IGBT

Prodotto:

Moduli di silicio IGBT

Configurazione:

Esadecimale

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

600 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

2 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

11 A

Corrente di dispersione gate-emettitore:

400 nA

Pd - Dissipazione di potenza:

40.5 W

Pacchetto/custodia:

EASY750

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Confezione:

Vassoio

Altezza:

12 mm

Lunghezza:

35.6 mm

Larghezza:

25.4 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Stile di montaggio:

Montaggio su telaio

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Tipologia di prodotto:

Moduli IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

40

sottocategoria:

IGBT

Parte # Alias:

FS6R06VE3B2BOMA1 SP000100310

Unità di peso:

0.391541 oz

Tags

FS6R06VE, FS6R06V, FS6R, FS6