CSD87331Q3D

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Texas Instruments

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

LSON-CLIP-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

15 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

18 mOhms, 5.5 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

2.7 nC, 6.4 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

6 W

Configurazione:

Dual

Nome depositato:

NexFET

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.5 mm

Lunghezza:

3.3 mm

Serie:

CSD87331Q3D

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Larghezza:

3.3 mm

Marca:

Texas Instruments

Transconduttanza diretta - Min:

48 S / 26 S

Tempo di caduta:

1.3 ns, 2.4 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

4.5 ns, 4.7 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

7.4 ns, 11.2 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

3.4 ns, 3.8 ns

Unità di peso:

0.001443 oz

Tags

CSD8733, CSD873, CSD87, CSD8, CSD