IXFT320N10T2

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-268-3

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

320 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

3.5 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

430 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1 kW

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

HiPerFET

Confezione:

Tubo

Altezza:

5.1 mm

Lunghezza:

16.05 mm

Serie:

IXFT320N10

Tipo:

TrenchT2 HiperFET Power MOSFET

Larghezza:

14 mm

Marca:

IXYS

Transconduttanza diretta - Min:

80 S

Tempo di caduta:

73 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

46 ns

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

73 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

36 ns

Unità di peso:

0.229281 oz

Tags

IXFT32, IXFT3, IXFT, IXF