FCMT180N65S3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

Power-88-4

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

650 V

Id - Corrente di scarico continua:

17 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

180 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

33 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

139 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

SuperFET III

Confezione:

Bobina

Serie:

SuperFET3

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

11 S

Tempo di caduta:

6 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

16 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

43 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

17 ns

Tags

FCMT1, FCMT, FCM