KSC5502DTTU

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

600 V

Collettore-tensione di base VCBO:

1.2 kV

Emettitore-tensione di base VEBO:

12 V

Corrente massima del collettore CC:

2 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

11 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

KSC5502DT

Altezza:

9.4 mm

Lunghezza:

10.1 mm

Confezione:

Tubo

Larghezza:

4.7 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Guadagno base/collettore DC hfe min:

15

Pd - Dissipazione di potenza:

50000 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.063493 oz

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