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QPD0030

QPD0030
Mfr. #:
QPD0030
Produttore:
Qorvo
Descrizione:
RF JFET Transistors DC-4GHz 45W GaN 48V
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
QPD0030 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
QPD0030 maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Qorvo
Categoria di prodotto:
Transistor RF JFET
RoHS:
Y
Tecnologia:
GaN
Guadagno:
21.7 dB
Vds - Tensione di rottura Drain-Source:
-
Vgs - Tensione di rottura gate-source:
-
Id - Corrente di scarico continua:
-
Potenza di uscita:
45 W
Tensione massima della porta di drenaggio:
-
Temperatura di esercizio minima:
- 40 C
Temperatura massima di esercizio:
-
Pd - Dissipazione di potenza:
45 W
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Pacchetto/custodia:
QFN-20
Confezione:
Bobina
Applicazione:
Stazione base a microcelle, W-CDMA / LTE
Configurazione:
Separare
Frequenza operativa:
DC to 4 GHz
Serie:
QPD
Marca:
Qorvo
Transconduttanza diretta - Min:
-
Tipologia di prodotto:
Transistor RF JFET
Quantità confezione di fabbrica:
250
sottocategoria:
transistor
Parte # Alias:
1132528
Tags
QPD0, QPD
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
QPD GaN RF Transistors
Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
GaN Transistor Solutions for Sub 6GHz 5G
Qorvo GaN Transistor Solutions for Sub 6GHz 5G are a broad portfolio of gallium nitride (GaN) discrete transistor products. The devices have varying levels of power, voltage, and frequency ratings in die-level and packaged solutions. These products provide high GaN performance plus the convenience of industry-standard packaging. This speeds design, manufacturing, and is backed by industry-leading reliability.
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
QPD0030
DISTI # 772-QPD0030		QorvoRF JFET Transistors DC-4GHz 45W GaN 48V
RoHS: Compliant		175
  • 1:$33.7500
  • 25:$30.3800
  • 100:$27.3400
  • 250:$25.1500
Immagine Parte # Descrizione
OPA1678IDGKR

Mfr.#: OPA1678IDGKR

OMO.#: OMO-OPA1678IDGKR

 Operational Amplifiers - Op Amps DUAL AUDIO OPAMP
SN65HVD230QDR

Mfr.#: SN65HVD230QDR

OMO.#: OMO-SN65HVD230QDR

 CAN Interface IC 3.3V CAN Transceiver
LM27761DSGR

Mfr.#: LM27761DSGR

OMO.#: OMO-LM27761DSGR

 Switching Voltage Regulators Switch Cap Boost
STEVAL-SPIN3201

Mfr.#: STEVAL-SPIN3201

OMO.#: OMO-STEVAL-SPIN3201

 Power Management IC Development Tools STSPIN32F0 Advanced BLDC controller with embedded STM32 MCU evaluation board
RC0603FR-071KL

Mfr.#: RC0603FR-071KL

OMO.#: OMO-RC0603FR-071KL

 Thick Film Resistors - SMD 1K OHM 1%
AWR1642BOOST-ODS

Mfr.#: AWR1642BOOST-ODS

OMO.#: OMO-AWR1642BOOST-ODS

 RF Development Tools OBSTACLE DETECTION SENSOR USING 1642
AWR1642BOOST-ODS

Mfr.#: AWR1642BOOST-ODS

OMO.#: OMO-AWR1642BOOST-ODS-TEXAS-INSTRUMENTS

 AWR1642 BOOSTER PACK
STEVAL-SPIN3201

Mfr.#: STEVAL-SPIN3201

OMO.#: OMO-STEVAL-SPIN3201-STMICROELECTRONICS

 EVAL BOARD FOR STSPIN32F0
SN65HVD230QDR

Mfr.#: SN65HVD230QDR

OMO.#: OMO-SN65HVD230QDR-TEXAS-INSTRUMENTS

 CAN Interface IC 3.3V CAN Transceive
OPA1678IDGKR

Mfr.#: OPA1678IDGKR

OMO.#: OMO-OPA1678IDGKR-TEXAS-INSTRUMENTS

 IC AUDIO AMP 2 CIRCUIT 8VSSOP
Disponibilità
Azione:
264
Su ordine:
2247
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Il prezzo attuale di QPD0030 è solo di riferimento, se si desidera ottenere il prezzo migliore, inviare una richiesta o inviare un'e-mail diretta al nostro team di vendita [email protected]
Prezzo di riferimento (USD)
Quantità
Prezzo unitario
est. Prezzo
1
33,75 USD
33,75 USD
25
30,38 USD
759,50 USD
100
27,34 USD
2 734,00 USD
A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
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