CSD18541F5T

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Texas Instruments

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PICOSTAR-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

2.2 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

65 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.75 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

11 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

500 mW (1/2 W)

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

PicoStar

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.35 mm

Lunghezza:

1.53 mm

Serie:

CSD18541F5

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

0.77 mm

Marca:

Texas Instruments

Tempo di caduta:

496 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

540 ns

Quantità confezione di fabbrica:

250

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

1076 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

572 ns

Unità di peso:

0.000025 oz

Tags

CSD1854, CSD185, CSD18, CSD1, CSD