IXTK210P10T

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-264-3

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

210 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

7.5 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

15 V

Qg - Carica cancello:

740 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.04 kW

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

trincea

Confezione:

Tubo

Altezza:

26.16 mm

Lunghezza:

19.96 mm

Serie:

IXTK210P10

Tipo:

MOSFET di potenza TrenchP

Larghezza:

5.13 mm

Marca:

IXYS

Transconduttanza diretta - Min:

90 S

Tempo di caduta:

55 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

98 ns

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

165 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

90 ns

Unità di peso:

0.264555 oz

Tags

IXTK2, IXTK, IXT