KSB834WYTM

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

E

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 60 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 60 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 7 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

- 0.5 V

Corrente massima del collettore CC:

3 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

9 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

KSB834W

Guadagno di corrente CC hFE Max:

200

Altezza:

4.83 mm

Lunghezza:

10.67 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

9.65 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Corrente continua del collettore:

- 3 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

60

Pd - Dissipazione di potenza:

30 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

800

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.046296 oz

Tags

KSB83, KSB8, KSB