IPD65R950C6

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

650 V

Id - Corrente di scarico continua:

4.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

855 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

15.3 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

37 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

CoolMOS

Confezione:

Bobina

Altezza:

2.3 mm

Lunghezza:

6.5 mm

Serie:

CoolMOS C6

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

6.22 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Tempo di caduta:

13.6 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

5.2 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

41 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

6.6 ns

Parte # Alias:

IPD65R950C6ATMA1 SP001107082

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

IPD65R950C, IPD65R9, IPD65R, IPD65, IPD6, IPD