FDI150N10

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-262-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

57 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

12 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

110 W

Configurazione:

Separare

Nome depositato:

PowerTrench

Confezione:

Tubo

Altezza:

7.88 mm

Lunghezza:

10.29 mm

Serie:

FDI150N10

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET a trincea di potenza

Larghezza:

4.83 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

156 S

Tempo di caduta:

83 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

164 ns

Quantità confezione di fabbrica:

800

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

86 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

47 ns

Unità di peso:

0.073511 oz

Tags

FDI1, FDI