D2008UK

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Elettronica TT

Categoria di prodotto:

Transistor MOSFET RF

Polarità del transistor:

Canale N

Tecnologia:

si

Id - Corrente di scarico continua:

2 A

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

65 V

Guadagno:

13 dB

Potenza di uscita:

5 W

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-39-3

Configurazione:

Separare

Altezza:

4.95 mm

Lunghezza:

9.4 mm

Frequenza operativa:

400 MHz

Tipo:

MOSFET di potenza RF

Larghezza:

9.4 mm

Marca:

Semelab / TT Electronics

Pd - Dissipazione di potenza:

29 W

Tipologia di prodotto:

Transistor MOSFET RF

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

MOSFET

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V to 7 V

Tags

D2008, D200, D20