STE60N105DK5

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

Moduli a semiconduttore discreti

RoHS:

Y

Prodotto:

Moduli MOSFET di potenza

Tipo:

Alta tensione

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Stile di montaggio:

Montaggio a vite

Pacchetto/custodia:

ISOTOP-4

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

STE60N105DK5

Configurazione:

Separare

Marca:

STMicroelectronics

Polarità del transistor:

Canale N

Tempo di caduta:

49.5 ns

Id - Corrente di scarico continua:

46 A

Tensione di alimentazione operativa:

840 V

Pd - Dissipazione di potenza:

680 W

Tipologia di prodotto:

Moduli a semiconduttore discreti

Rds On - Resistenza Drain-Source:

110 mOhms

Ora di alzarsi:

64.5 ns

Quantità confezione di fabbrica:

100

sottocategoria:

Moduli a semiconduttore discreti

Nome depositato:

MDmesh

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

262 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

40.6 ns

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

1050 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3 V

Tags

STE60, STE6, STE