IPSA70R1K2P7SAKMA1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

PG-TO-251-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

700 V

Id - Corrente di scarico continua:

4.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

980 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

16 V

Qg - Carica cancello:

4.8 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

25 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Tecnologie Infineon

Tempo di caduta:

48 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

4.8 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

60 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

12 ns

Parte # Alias:

IPSA70R1K2P7S SP001664784

Tags

IPSA70R1, IPSA7, IPSA, IPS