NTZD3154NT1G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-563-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

570 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

550 mOhms, 550 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

450 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

4.5 V

Qg - Carica cancello:

1.5 nC, 1.5 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

280 mW

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.55 mm

Lunghezza:

1.6 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Serie:

NTZD3154N

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Larghezza:

1.2 mm

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

1 S, 1 S

Tempo di caduta:

8 ns, 8 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

4 ns, 4 ns

Quantità confezione di fabbrica:

4000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

16 ns, 16 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

6 ns, 6 ns

Unità di peso:

0.000106 oz

Tags

NTZD3154NT1G, NTZD3154NT1, NTZD3154NT, NTZD3154N, NTZD3154, NTZD3, NTZD, NTZ