NDD04N50Z-1G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-247-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

500 V

Id - Corrente di scarico continua:

3 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2.7 Ohms

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

61 W

Configurazione:

Separare

Confezione:

Tubo

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

ON Semiconductor

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

75

sottocategoria:

MOSFET

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

NDD04N5, NDD04, NDD0, NDD