BC 850C E6327

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

45 V

Collettore-tensione di base VCBO:

50 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

200 mV

Corrente massima del collettore CC:

200 mA

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

250 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

BC850

Guadagno di corrente CC hFE Max:

800

Altezza:

1 mm

Lunghezza:

2.9 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

1.3 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Corrente continua del collettore:

100 mA

Guadagno base/collettore DC hfe min:

420

Pd - Dissipazione di potenza:

330 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Qualificazione:

AEC-Q101

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

BC850CE6327HTSA1 BC85CE6327XT SP000010563

Unità di peso:

0.000282 oz

Tags

BC850CE632, BC850CE, BC850C, BC850, BC85, BC8