2N5210NMBU

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-92-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

50 V

Collettore-tensione di base VCBO:

50 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

4.5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.7 V

Corrente massima del collettore CC:

0.1 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

30 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

600

Altezza:

4.58 mm

Lunghezza:

4.58 mm

Confezione:

Massa

Larghezza:

3.86 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Corrente continua del collettore:

0.1 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

200

Pd - Dissipazione di potenza:

625 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.008466 oz

Tags

2N521, 2N52, 2N5