US6M2TR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-363T-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V, 30 V

Id - Corrente di scarico continua:

1 A, 1.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

240 mOhms, 390 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

700 mV, 500 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

4.5 V

Qg - Carica cancello:

1.6 nC, 2.1 nC

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.77 mm

Lunghezza:

2 mm

Serie:

US6M2

Tipo di transistor:

1 N-Channel MOSFET, 1 P-Channel MOSFET

Tipo:

MOSFET

Larghezza:

1.7 mm

Marca:

Semiconduttore ROHM

Tempo di caduta:

6 ns, 10 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

9 ns, 8 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

15 ns, 25 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7 ns, 9 ns

Parte # Alias:

US6M2

Unità di peso:

0.000265 oz

Tags

US6M2TR, US6M2T, US6M2, US6M, US6