ZVP2110GTA

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-223-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

310 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

8 Ohms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.65 mm

Lunghezza:

6.7 mm

Serie:

ZVP2110

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Tipo:

FET

Larghezza:

3.7 mm

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

15 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

15 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

12 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7 ns

Unità di peso:

0.003951 oz

Tags

ZVP2110G, ZVP2110, ZVP211, ZVP2, ZVP