BC858CW-7-F

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-323-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 30 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 30 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

- 650 mV

Corrente massima del collettore CC:

- 200 mA

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

200 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

BC858

Altezza:

1 mm

Lunghezza:

2.2 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

1.35 mm

Marca:

Diodi incorporati

Guadagno base/collettore DC hfe min:

420 at -2 mA, - 5 V

Pd - Dissipazione di potenza:

200 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.000176 oz

Tags

BC858CW, BC858C, BC858, BC85, BC8