EMX5T2R

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

11 V

Collettore-tensione di base VCBO:

20 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

3 V

Corrente massima del collettore CC:

0.05 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

3.2 GHz

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

EMX5

Guadagno di corrente CC hFE Max:

56 at 5 mA, 10 V

Altezza:

0.5 mm

Lunghezza:

1.6 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

1.2 mm

Marca:

Semiconduttore ROHM

Guadagno base/collettore DC hfe min:

56

Pd - Dissipazione di potenza:

150 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

8000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

EMX5

Tags

EMX5, EMX