CSD87334Q3DT

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Texas Instruments

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

VSON-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

20 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

8.3 mOhms, 8.3 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

750 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Qg - Carica cancello:

8.3 nC, 8.3 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

6 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

NexFET

Confezione:

Bobina

Altezza:

1 mm

Lunghezza:

3.3 mm

Serie:

CSD87334Q3D

Larghezza:

3.3 mm

Marca:

Texas Instruments

Transconduttanza diretta - Min:

62 S

Kit di sviluppo:

VSON

Tempo di caduta:

17 ns, 17 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

7 ns, 7 ns

Quantità confezione di fabbrica:

250

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

11 ns, 11 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

4 ns, 4 ns

Unità di peso:

0.002677 oz

Tags

CSD8733, CSD873, CSD87, CSD8, CSD