BSL308CH6327XTSA1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSOP-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

2 A, 2.3 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

130 mOhms, 93 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V, 1.2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

- 1.2 nC, 650 pC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

0.5 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.1 mm

Lunghezza:

3 mm

Tipo di transistor:

1 P-Channel, 1 N-Channel

Larghezza:

1.5 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

4.6 S, 5 S

Tempo di caduta:

2.8 ns. 1.4 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

7.7 ns, 2.3 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

15.3 ns, 8.3 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

5.6 ns, 4.4 ns

Parte # Alias:

BSL308C H6327 SP001101002

Tags

BSL308CH, BSL308C, BSL308, BSL30, BSL3, BSL