MRF9002NR2

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

NXP

Categoria di prodotto:

Transistor MOSFET RF

RoHS:

Y

Polarità del transistor:

Canale N

Tecnologia:

si

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

65 V

Guadagno:

18 dB

Potenza di uscita:

2 W

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PFP-16

Confezione:

Bobina

Configurazione:

Triplo doppio scarico

Altezza:

2.1 mm

Lunghezza:

7.1 mm

Frequenza operativa:

1 GHz

Tipo:

MOSFET di potenza RF

Larghezza:

7.1 mm

Marca:

NXP / Freescale

Modalità canale:

Aumento

Sensibile all'umidità:

sì

Pd - Dissipazione di potenza:

4 W

Tipologia di prodotto:

Transistor MOSFET RF

Quantità confezione di fabbrica:

1500

sottocategoria:

MOSFET

Vgs - Tensione Gate-Source:

- 0.5 V, 15 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4 V

Tags

MRF9002, MRF900, MRF90, MRF9, MRF