FDM2509NZ

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

T

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

MLP-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

8.7 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

18 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.2 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.8 mm

Lunghezza:

5 mm

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Tipo:

MOSFET

Larghezza:

2 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

36 S

Tempo di caduta:

12 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

15 ns

Quantità confezione di fabbrica:

750

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

27 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

11 ns

Parte # Alias:

FDM2509NZ_NL

Unità di peso:

0.007055 oz

Tags

FDM25, FDM2, FDM