CSD19538Q3AT

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Texas Instruments

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

VSONP-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

15 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

61 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3.2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

4.3 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.8 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

NexFET

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.9 mm

Lunghezza:

3.15 mm

Serie:

CSD19538Q3A

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

3 mm

Marca:

Texas Instruments

Tempo di caduta:

2 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

3 ns

Quantità confezione di fabbrica:

250

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

7 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

5 ns

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