TK17E80W,S1X

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

800 V

Id - Corrente di scarico continua:

17 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

250 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

32 nC

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

180 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

DTMOSIV

Serie:

TK17E80W

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Toshiba

Tempo di caduta:

7 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

24 ns

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

80 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

58 ns

Unità di peso:

0.063493 oz

Tags

TK17E8, TK17E, TK17, TK1