BSM200GA120DN2

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

Moduli IGBT

RoHS:

Y

Prodotto:

Moduli di silicio IGBT

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

1200 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

2.5 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

300 A

Corrente di dispersione gate-emettitore:

200 nA

Pd - Dissipazione di potenza:

1550 W

Pacchetto/custodia:

62 mm

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Confezione:

Vassoio

Altezza:

36.5 mm

Lunghezza:

106.4 mm

Larghezza:

61.4 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Stile di montaggio:

Montaggio su telaio

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Tipologia di prodotto:

Moduli IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

10

sottocategoria:

IGBT

Parte # Alias:

BSM200GA120DN2HOSA1 SP000100725

Tags

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