IXTP26P20P

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220AB-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

200 V

Id - Corrente di scarico continua:

26 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

170 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

56 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

300 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Altezza:

9.15 mm

Lunghezza:

10.66 mm

Serie:

IXTP26P20

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Larghezza:

4.83 mm

Marca:

IXYS

Transconduttanza diretta - Min:

10 S

Tempo di caduta:

21 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

33 ns

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

46 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

18 ns

Unità di peso:

0.081130 oz

Tags

IXTP26, IXTP2, IXTP, IXT