CSD25304W1015

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Texas Instruments

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DSBGA-6

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

3 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

92 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.15 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Qg - Carica cancello:

4.4 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

750 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

NexFET

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.625 mm

Lunghezza:

1.5 mm

Serie:

CSD25304W1015

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Larghezza:

1 mm

Marca:

Texas Instruments

Transconduttanza diretta - Min:

12 S

Tempo di caduta:

10 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

4 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

24 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

6 ns

Unità di peso:

0.000049 oz

Tags

CSD2530, CSD253, CSD25, CSD2, CSD