BSZ22DN20NS3GATMA1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSDSON-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

200 V

Id - Corrente di scarico continua:

7 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

194 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

5.6 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

34 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

OptiMOS

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.1 mm

Lunghezza:

3.3 mm

Serie:

OptiMOS 3

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

3.3 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

3.5 S

Tempo di caduta:

3 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

4 ns

Quantità confezione di fabbrica:

5000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

6 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

4 ns

Parte # Alias:

BSZ22DN20NS3 BSZ22DN2NS3GXT G SP000781794

Unità di peso:

0.001277 oz

Tags

BSZ22, BSZ2, BSZ