IXTK120P20T

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-264-3

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

200 V

Id - Corrente di scarico continua:

120 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

30 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

15 V

Qg - Carica cancello:

740 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.04 kW

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

trincea

Confezione:

Tubo

Altezza:

26.59 mm

Lunghezza:

20.29 mm

Serie:

IXTK120P20

Tipo:

MOSFET di potenza TrenchP

Larghezza:

5.31 mm

Marca:

IXYS

Transconduttanza diretta - Min:

85 S

Tempo di caduta:

50 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

85 ns

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

200 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

90 ns

Unità di peso:

0.264555 oz

Tags

IXTK120, IXTK12, IXTK1, IXTK, IXT