STL17N60M6

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

MOSFET

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PowerFLAT-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

600 V

Id - Corrente di scarico continua:

10 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

350 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3.25 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

16.7 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

90 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

MDmesh

Confezione:

Bobina

Serie:

STL17N65M5

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

STMicroelectronics

Tempo di caduta:

6.8 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

7.6 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

19.8 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

13 ns

Tags

STL17N6, STL17N, STL17, STL1, STL