RUE002N05TL

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-416-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

50 V

Id - Corrente di scarico continua:

200 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1.6 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Pd - Dissipazione di potenza:

150 mW

Configurazione:

Separare

Confezione:

Bobina

Serie:

RUE002N05

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Semiconduttore ROHM

Tempo di caduta:

55 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

6 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

15 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

4 ns

Parte # Alias:

RUE002N05

Unità di peso:

0.000212 oz

Tags

RUE002N05, RUE002N, RUE002, RUE00, RUE0, RUE