IXFP7N100P

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

1 kV

Id - Corrente di scarico continua:

7 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1.9 Ohms

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

300 W

Configurazione:

Separare

Nome depositato:

HiPerFET

Confezione:

Tubo

Serie:

IXFP7N100

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

IXYS

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Unità di peso:

0.081130 oz

Tags

IXFP7N, IXFP7, IXFP, IXF