CSD87335Q3DT

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Texas Instruments

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

LSON-CLIP-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

25 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2.4 Ohms, 1.2 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V, 750 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

5.7 nC, 10.7 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

6 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

NexFET

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.5 mm

Lunghezza:

3.3 mm

Serie:

CSD87335Q3D

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Larghezza:

3.3 mm

Marca:

Texas Instruments

Transconduttanza diretta - Min:

59 S, 107 S

Tempo di caduta:

4 ns, 5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

29 ns, 27 ns

Quantità confezione di fabbrica:

250

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

13 ns, 17 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

8 ns, 8 ns

Unità di peso:

0.002402 oz

Tags

CSD8733, CSD873, CSD87, CSD8, CSD