CXT5551 TR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore centrale

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-89

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

160 V

Collettore-tensione di base VCBO:

75 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

300 mV

Corrente massima del collettore CC:

600 mA

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

300 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

CXT5

Guadagno di corrente CC hFE Max:

250 at 10 mA, 5 V

Confezione:

Bobina

Marca:

Semiconduttore centrale

Guadagno base/collettore DC hfe min:

80 at 10 mA, 5 V

Pd - Dissipazione di potenza:

350 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

CXT5551 PBFREE TR

Unità di peso:

0.000529 oz

Tags

CXT5551T, CXT555, CXT55, CXT5, CXT