MSB710-RT1G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SC-59-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 60 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 50 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

7 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

- 0.6 V

Corrente massima del collettore CC:

0.5 A

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Altezza:

1.09 mm

Lunghezza:

2.9 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

1.5 mm

Marca:

ON Semiconductor

Corrente continua del collettore:

- 0.5 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

120

Pd - Dissipazione di potenza:

200 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.000282 oz

Tags

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