RGTH50TS65GC11

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

Transistor IGBT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Pacchetto/custodia:

TO-247-3

Stile di montaggio:

Foro passante

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

650 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1.6 V

Tensione massima dell'emettitore di gate:

30 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

50 A

Pd - Dissipazione di potenza:

174 W

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Serie:

RGTH50TS65

Confezione:

Tubo

Corrente continua del collettore Ic Max:

50 A

Intervallo operativo di temperatura:

- 40 C to + 175 C

Marca:

Semiconduttore ROHM

Corrente continua del collettore:

25 A

Corrente di dispersione gate-emettitore:

+/- 200 nA

Tipologia di prodotto:

Transistor IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

450

sottocategoria:

IGBT

Parte # Alias:

RGTH50TS65

Unità di peso:

1.340411 oz

Tags

RGTH50TS, RGTH5, RGTH, RGT