APT10035JLL

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Microchip

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Montaggio su telaio

Pacchetto/custodia:

SOT-227-4

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

1 kV

Id - Corrente di scarico continua:

25 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

350 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

186 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

520 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Altezza:

8.9 mm

Lunghezza:

38 mm

Prodotto:

MOSFET

Tipo:

MOSFET di potenza

Larghezza:

25.2 mm

Marca:

Microchip / Microsemi

Tempo di caduta:

9 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

10 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

36 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

12 ns

Unità di peso:

1.058219 oz

Tags

APT10035, APT1003, APT100, APT10, APT1, APT