TGF2965-SM

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Qorvo

Categoria di prodotto:

Transistor RF JFET

RoHS:

Y

Tipo di transistor:

HEMT

Tecnologia:

GaN SiC

Guadagno:

18 dB

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

32 V

Vgs - Tensione di rottura gate-source:

- 2.7 V

Id - Corrente di scarico continua:

600 mA

Potenza di uscita:

6 W

Tensione massima della porta di drenaggio:

-

Temperatura di esercizio minima:

-

Temperatura massima di esercizio:

-

Pd - Dissipazione di potenza:

7.5 W

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

QFN-16

Confezione:

Vassoio

Configurazione:

Separare

Frequenza operativa:

30 MHz to 3 GHz

Marca:

Qorvo

Transconduttanza diretta - Min:

-

Tensione di interruzione gate-source:

-

Sensibile all'umidità:

sì

Tipologia di prodotto:

Transistor RF JFET

Rds On - Resistenza Drain-Source:

-

Quantità confezione di fabbrica:

100

sottocategoria:

transistor

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

-

Parte # Alias:

1123170

Unità di peso:

0.002014 oz

Tags

TGF296, TGF29, TGF2, TGF