DMG1012T-13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-523-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

630 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

400 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

500 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

6 V

Qg - Carica cancello:

736.6 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

0.28 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Marca:

Diodi incorporati

Transconduttanza diretta - Min:

14 S

Tempo di caduta:

12.3 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

7.4 ns

Quantità confezione di fabbrica:

10000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

26.7 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

5.1 ns

Unità di peso:

0.000071 oz

Tags

DMG1012T, DMG1012, DMG101, DMG1, DMG