IXTP12N65X2M

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

Moduli a semiconduttore discreti

RoHS:

Y

Prodotto:

Moduli MOSFET di potenza

Tipo:

X2-Class

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Confezione:

Tubo

Configurazione:

Separare

Marca:

IXYS

Polarità del transistor:

Canale N

Tempo di caduta:

16 ns

Id - Corrente di scarico continua:

12 A

Pd - Dissipazione di potenza:

40 W

Tipologia di prodotto:

Moduli a semiconduttore discreti

Rds On - Resistenza Drain-Source:

300 mOhms

Ora di alzarsi:

24 ns

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

Moduli a semiconduttore discreti

Nome depositato:

HiPerFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

52 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

23 ns

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

650 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.5 V

Tags

IXTP12N, IXTP12, IXTP1, IXTP, IXT