IXFX230N20T

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-247-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

200 V

Id - Corrente di scarico continua:

230 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

7.5 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.67 kW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

HiPerFET

Confezione:

Tubo

Serie:

IXFX230N20

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

IXYS

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

MOSFET

Unità di peso:

0.257500 oz

Tags

IXFX2, IXFX, IXF