DMP3056LSDQ-13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

6.9 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

45 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

6.8 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.5 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Confezione:

Bobina

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

14.7 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

5.3 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

26.5 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

6.4 ns

Tags

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