FJP13009

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

400 V

Collettore-tensione di base VCBO:

700 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

9 V

Corrente massima del collettore CC:

12 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

4 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

FJP13009

Altezza:

9.4 mm (Max)

Lunghezza:

10.1 mm (Max)

Confezione:

Massa

Larghezza:

4.7 mm (Max)

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Guadagno base/collettore DC hfe min:

8

Pd - Dissipazione di potenza:

100000 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

200

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

FJP13009_NL

Unità di peso:

0.063493 oz

Tags

FJP13009, FJP13, FJP1, FJP