NTE4153NT1G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SC-89-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

915 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

230 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

450 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

4.5 V

Qg - Carica cancello:

1.82 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

300 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.7 mm

Lunghezza:

1.6 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Serie:

NTE4153N

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET

Larghezza:

0.85 mm

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

1.4 S

Tempo di caduta:

7.6 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

4.4 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

25 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

3.7 ns

Unità di peso:

0.001058 oz

Tags

NTE4153NT, NTE4153, NTE415, NTE41, NTE4, NTE